字扩展和位扩展还有字位扩展简述他们的特点?
1、字扩展:与位扩展不同,字扩展是在原地址线基础上增加高位地址线,例如上图中的四块内存芯片,通过A10和A11地址线组合,实现了地址范围的扩展。这使得原本分散的四块芯片组成了连续的12位地址空间,从而提供了更大的寻址能力。
2、字扩展则在原有地址线基础上增加高位地址线。四块芯片原10根地址线扩展为12位,新增A10与A11,通过译码器输出四种组合,形成完整12位连续寻址范围。字位同时扩展,首先两块一组进行位扩展,形成1kX8内存,接着进行字扩展,每两块使用相同扩展后的地址。2-4译码器的输出线同时连接两块芯片。
3、位扩展是指通过增加地址线来提高存储容量,而字扩展则是通过增加数据线来增加每次可以访问的数据量。对于位扩展,单片机的P0口通过373锁存器输出低8位地址,P2口输出高8位地址,这两部分地址信号共同连接到RAM的A0-A15引脚上。这样,单片机能够通过这些地址线精确地定位和访问RAM中的每一个存储单元。
字扩展与位扩展
1、字扩展:与位扩展不同,字扩展是在原地址线基础上增加高位地址线,例如上图中的四块内存芯片,通过A10和A11地址线组合,实现了地址范围的扩展。这使得原本分散的四块芯片组成了连续的12位地址空间,从而提供了更大的寻址能力。
2、字扩展则在原有地址线基础上增加高位地址线。四块芯片原10根地址线扩展为12位,新增A10与A11,通过译码器输出四种组合,形成完整12位连续寻址范围。字位同时扩展,首先两块一组进行位扩展,形成1kX8内存,接着进行字扩展,每两块使用相同扩展后的地址。2-4译码器的输出线同时连接两块芯片。
3、分析:用1K×4位的RAM芯片构成2K×8位的存储器,1K×4位构成2K×8位单用字扩展或者单用位扩展无法解决问题,要字扩展和位扩展同时进行。
4、位扩展是指通过增加地址线来提高存储容量,而字扩展则是通过增加数据线来增加每次可以访问的数据量。对于位扩展,单片机的P0口通过373锁存器输出低8位地址,P2口输出高8位地址,这两部分地址信号共同连接到RAM的A0-A15引脚上。这样,单片机能够通过这些地址线精确地定位和访问RAM中的每一个存储单元。
5、位扩展位扩展是指存储芯片的字(单元)数满足要求而位数不够,需对每个存储单元的位数进行扩展。例:用1K×4的2114芯片构成lK×8的存储器系统。分析:每个芯片的容量为1K,满足存储器系统的容量要求。
多模块存储器和字位扩展的关系
字扩展是对存储芯片内部来说的。字扩展只能扩展容量,对单个存储器进行扩容,属于存储器的一部分。其实是一个比存储器更小的概念,在使用高位交叉编址的时候是不用考虑存储器内部里面有几个芯片,是怎么连接的。
多模块存储器:为提高访存速度,常采用多模块存储器,常用的有单体多字存储器和多体低位交叉存储器。CPU的速度比存储器块,若同时从存储器中取出无数条指令,就可以充分利用CPU资源,提高运行速度。存储器芯片属于通用集成电路,是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。
这个是微机原理的题--存储器扩展。2114是1K*4位,扩展到16K*8位。要同时进行字扩展和位扩展。先进行位扩展:将两块2114并联使用,组成了1k*8位 再进行字扩展:将并联的两块2114组成的芯片组进行字扩展 这样就完成了扩展过程。
存储器与CPU通过数据、地址、控制三总线连接,存储器与CPU之间是多对一的关系。在扩展过程中,主要关注存储芯片与CPU的外部引脚连接。存储器容量的扩充方式有位扩展、字扩展和字位扩展。位扩展是增加存储单元的位数,每个单元的容量不变。例如,使用1K*4的存储芯片构成1K*8的存储器。
位扩展可以通过增加存储单元的位数来存储更多的数据,但在访问速度上会有所牺牲。位扩展适用于需要大容量存储但对访问速度要求不高的应用,如存储大量文本文件、数据库等。因此,多体并行存储器和位扩展在存储器结构和应用场景上有所不同。
RAM芯片的存储容量=地址线条数×数据线的条数bit=字数(存储单元个数)×字长例:芯片2732即4K×8bit=32Kb地址线12根。数据线8根芯片21141K×4bit地址线10根。数据线4根,16K×8b的RAM,地址线14根。存储器的地址范围:为2K,由2^11=2048=2K。
字扩展和低位交叉编址有什么区别,确定地址为什么一个取最高位,_百度知...
该句的区别和为什么一个取最高位的原因如下:字扩展编址是将一个字通常是16位或32位的地址拆分成两个部分,分别存储在两个寄存器中。高位寄存器存储字的高字节地址,低位寄存器存储字的低字节地址。
低位交叉编址和位扩展没有关系。低位交叉编址是为了解决CPU和存储器之间的速度矛盾,将多个存储芯片连在一块,通过低位或高位的几个二进制数来区分是哪一个存储芯片,CPU存取某一个存储芯片后,该芯片需要一定的恢复时间,因此可以在该芯片的恢复时间内,CPU去存取别的存储芯片,提高效率。
低位交叉存储器能并行是因为采用流水线的方式并行存取。交叉存储器,又称低位交叉编址,是一种模块式的存储器,能并行执行多个独立的读、写操作。存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。
低位交叉编址是内存。由于程序连续存放在相邻体中,故又有交叉存储之称。低位地址用来表示体号,高位地址为体内地址。这种编址方式又称为模M编址(M等于模块数),一般模块数取2的方幂,使硬件电路比较简单。有的机器为了减少存储器冲突,采取质数个模块。
由于高位多体交叉存储器(或称连续编址存储器)在一个存储体内地址连续,所以一个程序的指令和数据极大可能只分布在一个存储体上,这样的只能顺序读取,而无法充分利用并行存取。
采用多体交叉存储器时,主要由地址的低位部分来选择各个存储体。 采用多体交叉存储器时,当连续访问的存储单元位于不同的存储体时可获得较高的存取速度。
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