字扩展（字扩展和位扩展）

字扩展和位扩展还有字位扩展简述他们的特点?

1、字扩展：与位扩展不同，字扩展是在原地址线基础上增加高位地址线，例如上图中的四块内存芯片，通过A10和A11地址线组合，实现了地址范围的扩展。这使得原本分散的四块芯片组成了连续的12位地址空间，从而提供了更大的寻址能力。

2、字扩展则在原有地址线基础上增加高位地址线。四块芯片原10根地址线扩展为12位，新增A10与A11，通过译码器输出四种组合，形成完整12位连续寻址范围。字位同时扩展，首先两块一组进行位扩展，形成1kX8内存，接着进行字扩展，每两块使用相同扩展后的地址。2-4译码器的输出线同时连接两块芯片。

3、位扩展是指通过增加地址线来提高存储容量，而字扩展则是通过增加数据线来增加每次可以访问的数据量。对于位扩展，单片机的P0口通过373锁存器输出低8位地址，P2口输出高8位地址，这两部分地址信号共同连接到RAM的A0-A15引脚上。这样，单片机能够通过这些地址线精确地定位和访问RAM中的每一个存储单元。

字扩展与位扩展

1、字扩展：与位扩展不同，字扩展是在原地址线基础上增加高位地址线，例如上图中的四块内存芯片，通过A10和A11地址线组合，实现了地址范围的扩展。这使得原本分散的四块芯片组成了连续的12位地址空间，从而提供了更大的寻址能力。

2、字扩展则在原有地址线基础上增加高位地址线。四块芯片原10根地址线扩展为12位，新增A10与A11，通过译码器输出四种组合，形成完整12位连续寻址范围。字位同时扩展，首先两块一组进行位扩展，形成1kX8内存，接着进行字扩展，每两块使用相同扩展后的地址。2-4译码器的输出线同时连接两块芯片。

3、分析：用1K×4位的RAM芯片构成2K×8位的存储器，1K×4位构成2K×8位单用字扩展或者单用位扩展无法解决问题，要字扩展和位扩展同时进行。

4、位扩展是指通过增加地址线来提高存储容量，而字扩展则是通过增加数据线来增加每次可以访问的数据量。对于位扩展，单片机的P0口通过373锁存器输出低8位地址，P2口输出高8位地址，这两部分地址信号共同连接到RAM的A0-A15引脚上。这样，单片机能够通过这些地址线精确地定位和访问RAM中的每一个存储单元。

5、位扩展位扩展是指存储芯片的字（单元）数满足要求而位数不够，需对每个存储单元的位数进行扩展。例：用1K×4的2114芯片构成lK×8的存储器系统。分析：每个芯片的容量为1K，满足存储器系统的容量要求。

多模块存储器和字位扩展的关系

字扩展是对存储芯片内部来说的。字扩展只能扩展容量，对单个存储器进行扩容，属于存储器的一部分。其实是一个比存储器更小的概念，在使用高位交叉编址的时候是不用考虑存储器内部里面有几个芯片，是怎么连接的。

多模块存储器：为提高访存速度，常采用多模块存储器，常用的有单体多字存储器和多体低位交叉存储器。CPU的速度比存储器块，若同时从存储器中取出无数条指令，就可以充分利用CPU资源，提高运行速度。存储器芯片属于通用集成电路，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。

这个是微机原理的题--存储器扩展。2114是1K*4位，扩展到16K*8位。要同时进行字扩展和位扩展。先进行位扩展：将两块2114并联使用，组成了1k*8位 再进行字扩展：将并联的两块2114组成的芯片组进行字扩展 这样就完成了扩展过程。

存储器与CPU通过数据、地址、控制三总线连接，存储器与CPU之间是多对一的关系。在扩展过程中，主要关注存储芯片与CPU的外部引脚连接。存储器容量的扩充方式有位扩展、字扩展和字位扩展。位扩展是增加存储单元的位数，每个单元的容量不变。例如，使用1K*4的存储芯片构成1K*8的存储器。

位扩展可以通过增加存储单元的位数来存储更多的数据，但在访问速度上会有所牺牲。位扩展适用于需要大容量存储但对访问速度要求不高的应用，如存储大量文本文件、数据库等。因此，多体并行存储器和位扩展在存储器结构和应用场景上有所不同。

RAM芯片的存储容量=地址线条数×数据线的条数bit=字数（存储单元个数）×字长例：芯片2732即4K×8bit=32Kb地址线12根。数据线8根芯片21141K×4bit地址线10根。数据线4根，16K×8b的RAM，地址线14根。存储器的地址范围：为2K，由2^11=2048=2K。

字扩展和低位交叉编址有什么区别,确定地址为什么一个取最高位,_百度知...

该句的区别和为什么一个取最高位的原因如下：字扩展编址是将一个字通常是16位或32位的地址拆分成两个部分，分别存储在两个寄存器中。高位寄存器存储字的高字节地址，低位寄存器存储字的低字节地址。

低位交叉编址和位扩展没有关系。低位交叉编址是为了解决CPU和存储器之间的速度矛盾，将多个存储芯片连在一块，通过低位或高位的几个二进制数来区分是哪一个存储芯片，CPU存取某一个存储芯片后，该芯片需要一定的恢复时间，因此可以在该芯片的恢复时间内，CPU去存取别的存储芯片，提高效率。

低位交叉存储器能并行是因为采用流水线的方式并行存取。交叉存储器，又称低位交叉编址，是一种模块式的存储器，能并行执行多个独立的读、写操作。存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。

低位交叉编址是内存。由于程序连续存放在相邻体中，故又有交叉存储之称。低位地址用来表示体号，高位地址为体内地址。这种编址方式又称为模M编址（M等于模块数），一般模块数取2的方幂，使硬件电路比较简单。有的机器为了减少存储器冲突，采取质数个模块。

由于高位多体交叉存储器（或称连续编址存储器）在一个存储体内地址连续，所以一个程序的指令和数据极大可能只分布在一个存储体上，这样的只能顺序读取，而无法充分利用并行存取。

采用多体交叉存储器时，主要由地址的低位部分来选择各个存储体。 采用多体交叉存储器时，当连续访问的存储单元位于不同的存储体时可获得较高的存取速度。

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